Исследователи приблизились к пониманию новых карт памяти следующего поколения.
Исследовали института Samsung открыли материал для современных новых карт памяти. Новый материал назвали аморфный нитрид бора (a-BN). Благодаря данному открытию, уверены авторы работы, они заметно приблизились к появлению полупроводниковых материалов нового поколения.
Аморфный нитрид бора в своем классе обладает самой низкой диэлектрической непроницаемостью. Этот материал возможно использовать как изолирующий, благодаря чему помехи, которые вызваны электроникой, будут сведены к минимальному значению.
