Новый смартфон Realme GT 5G получит память LPDDR5 и накопитель UFS 3.1

Рассекречены некоторые характеристики нового флагманского смартфона Realme GT 5G.

В частности, эксперты приписывают устройству встроенный накопитель UFS 3.1, а также модуль памяти по технологии LPDDR5. Также ранее в компании подтвердили, что смартфон будет функционировать на мощном восьмиядерном процессоре Qualcomm Snapdragon 888 с поддержкой сетей пятого поколения.

Еще одним достоинством устройства называют видеочип Adreno 660, обеспечивающий стабильную работу самых требовательных игр и прочих графических приложений. Объем оперативной памяти смартфона Realme GT 5G достигает 12 гигабайт, тогда как в продажу могут выпустить модификации, отличающиеся показателями встроенной и оперативной памяти. Стоимость смартфона Realme GT 5G пока неизвестна.

загрузка...

Коротко

Показать все новости