Разработчики Toshiba Memory трудятся над созданием новой памяти для систем хранения под названием XL-FLASH. Память базируется на технологии флэш-накопителя BiCS FLASH 3D, где в каждой ячейке хранится один бит.
XL-FLASH благодаря низкой задержке и высокой производительности подходит для использования в центрах обработки данных и корпоративных хранилищах. Один кристалл новой памяти обладает плотностью 128 Гб, а в корпусе микросхемы от 2 до 8 штук.
Поставки образцов новой памяти стартуют в сентябре, массовое производство XL-FLASH начнется в 2020 году. Новая память устраняет разрыв в производительности, существующий между DRAM и NAND.
