Южнокорейский бренд начал изготовление 512 Гб памяти eUFS для телефонов нового поколения. Новейшее устройство, созданное на основе чипа V-NAND, улучшит скорость работы гаджетов.
Сообщается, что 512 Гб UFS состоит из восми 64-слойных чипов и вдвое превышает характеристики прототипа на 256 Гб. Для наглядности специалисты предоставили статистику: карта памяти может хранить 130 видеороликов длительностью по десять минут, а устаревшая модель – только лишь 13. Создатели учли предыдущие погрешности, минимизировали энергозатратность, повысили скорость записи и считывания до 255 и 860 Мб/сек. При подобных показателях клип размером в 5 Гб закачивается за шесть секунд.
Отмечается, что скорее всего, карта появится в Samsung Galaxy S9, дизайн которого уже рассекречен.
Ранее сообщалось, что Samsung Galaxy J2 Pro получит новый дизайн.
