Научные сотрудники провели исследование, которое было направлено на определение влияния дефектов в графене на перенос электронов на границе фаз графен-растворов.
Как известно, электрохимические свойства графена очень зависят от его химической структуры, а также электронных свойств, которые оказывают существенное влияние на кинетику окислительно-восстановительных процессов. Проведенные недавно исследования помогли обнаружить возможность ускорения переноса на структурных дефектах, таких как графеновые края, вакансии, примесные гетероатомы, кислородосодержащие функциональные группы. Команда ученых из России в рамках нового анализа изучила кинетику переноса электрона на поверхности графена, который содержал дефекты.
В результате выяснилось, что привнесение дефектов в идеальный графеновый лист может приводить к росту плотности электронных состояний вблизи уровня ферми, а также катализировать перенос электрона.
